黄山谷捷IEEE:一种双面水冷的IGBT功率器件模组

来源 | IEEE
链接 | https://doi.org/10.1109/ICEPT47577.2019.245119
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电动车 “心脏” 怕高温?这项散热技术成了关键!
当你驾驶电动车穿梭在城市街头,是否想过背后有一个 “隐形功臣” 在默默支撑?它就是电动车转换器的核心 —— 绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块。作为电能转换与传输的 “桥梁”,IGBT 模块性能直接决定了电动车的动力输出与能效,堪称电动车的 “心脏”。

然而,随着电动车向高功率、高集成化方向发展,IGBT 模块的功率损耗也在不断增加,极易导致芯片结温升高。要知道,IGBT 芯片对温度极为敏感,一旦温度超过额定极限,就可能造成不可逆的损坏,不仅会让电动车 “趴窝”,更会威胁到行车安全。因此,为 IGBT 模块设计高效的散热封装结构,成为保障电动车稳定运行的重中之重。
更棘手的是,电动车内部空间有限,电池组占用了大量空间,留给 IGBT 模块的散热空间本就十分紧张;同时,车内复杂的 packaging 结构(封装结构)会进一步阻碍热量传导,加剧局部高温问题。此外,电动车还需兼顾成本控制与轻量化需求,这无疑给 IGBT 模块的热设计又添了一道难题 —— 既要散热效果好,又要体积小、重量轻、成本低,多重约束下,传统散热方案逐渐 “力不从心”。
长期以来,科研界围绕 IGBT 模块的散热展开了大量探索:从精准计算功率损耗、优化散热路径,到设计新型封装结构、改良散热鳍片形状,再到筛选高效冷却液、研发高导热材料…… 每一步突破都在为解决散热难题积蓄力量。而在当下,如何针对电动车高功率 IGBT 模块的特性,找到兼顾散热效率与实用性的方案,成为行业亟待突破的关键课题。
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成果掠影

近日,为解决电动车 IGBT 模块 “散热难、易高温” 的核心问题,黄山学院联合黄山谷捷针对高功率 IGBT 模块的双面强制液冷封装结构展开研究。通过建立热传导与冷却液流动的三维耦合模型,结合仿真分析与优化验证,得出三大关键成果:
(1)冷却液流量:并非越大越好,存在 “高效临界点”
通过模拟不同入口流量下的芯片温度与流阻变化,发现流量对散热效果的影响呈 “边际递减” 规律:
·低流量阶段(<临界值):流量越大,散热效果越优。当流量从 4L/min 提升至 8L/min 时,芯片最高温度从 143℃降至 132℃,冷却液流速加快、扰动增强,带走热量的效率显著提升;
·高流量阶段(≥临界值):流量增加仅会大幅提高流阻,却难以改善散热。例如流量从 6L/min 增至 8L/min 时,进出口压差从 58.0kPa 飙升至 100.2kPa,但芯片降温仅 6℃,继续加大流量只会造成能源浪费,因此实际应用中需根据工况选择 “性价比最优” 的流量;
(2)液冷散热存在 “区域差异”,出口芯片易积热
仿真结果显示,双面液冷散热器的散热效果并非均匀:
·温度分布特征:靠近冷却液入口的芯片温度更低,靠近出口的芯片温度更高(以 6L/min 流量为例,出口区域芯片最高温达 137.8℃,虽未超过 150℃的 IGBT 耐受极限,但已显著高于入口区域);
·核心原因:冷却液从入口(70℃)流向出口的过程中,会持续吸收芯片热量导致自身温度升高,进而削弱对下游芯片的散热能力,形成 “入口优、出口差” 的不均衡现象;
(3)石墨烯薄膜(GBF)可缓解出口高温,高功率场景潜力大
为解决出口芯片局部高温问题在出口附近芯片表面贴合了厚度 40μm、导热系数 1200W/m・K 的石墨烯薄膜,结果显示:
·降温效果:在相同流量条件下,贴合 GBF 后出口芯片最高温降低 1.5℃,虽降幅温和,但已验证其对局部热区的散热优化作用;
·未来潜力:随着 IGBT 模块功率等级提升,热量密度会进一步增加,此时石墨烯的高横向导热性将更充分发挥作用,有望更显著地扩散热源、降低热点温度,成为高功率 IGBT 散热的重要辅助方案;
综上,本研究证实:双面液冷封装能有效降低 IGBT 芯片温度,合理控制流量可平衡散热效率与能耗,而石墨烯薄膜则为缓解局部高温提供了可行路径—— 三者结合,为电动车 IGBT 模块的高效、可靠散热提供了一套更具针对性的解决方案。研究成果以“Heat Dissipation Simulation of Double-sided Liquid-cooled IGBT Module Package” 为题,发表于《IEEE》期刊。
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图文导读

图 1. IGBT 模块三维模型

图 2. 芯片最高温度随入口流量的变化关系

图 3. 进出口压差随入口流量的变化关系

图 4. IGBT 模块与散热器温度场(图中含 “芯片表面温度”“137.819℃”“138℃” 等标注)

图 5. 散热器内流体速度场(图中含 “米 / 秒(m/s)” 及速度数值标注)

图 6. 出口附近贴附石墨烯基薄膜(GBFs)的芯片表面

图 7. 芯片温度分布:(a) 未贴附石墨烯基薄膜(GBFs);(b) 贴附 40 微米石墨烯基薄膜(GBFs)(图中含 “79.1℃、100℃、120℃、136℃” 温度刻度及 “137.819℃”“136.319℃” 温度值标注)

