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可回收高效散热材料,破解电子器件高热难题!

时间:2026年03月08日

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来源 | Advanced Science

链接 | https://doi.org/10.1002/advs.202521482




01

背景


AI 驱动的高性能计算使半导体器件集成度逼近物理极限,高热流(高功率密度)问题凸显,亟需具备高潜热(ΔH)、低界面热阻(ITR)、高结构稳定性的相变材料(PCMs)用于热管理。传统聚合物固 - 固 PCMs:相变单元链缠结、刚性交联导致潜热难以突破 160 J/g,存在显著焓损失(ΔHₗₒₛₛ);相变热界面材料(PCM-TIMs):石蜡类易泄漏,高导热填料(碳材料、BN 等)会提升模量、加剧界面热阻。




02

成果掠影


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近日,北京化工大学张军营教授、程珏教授团队设计了基于B─O─B 和 Si─O─B 动态键交联的双刷相变聚合物网络(PVBS-TMCₙ),通过双刷拓扑结构提升相变单元含量、动态键降低焓损失,实现了240.7 J/g的创纪录潜热,同时具备80℃下 0.8 s 的超快松弛特性和无催化剂闭环回收能力;进一步通过堆叠 - 切割策略制备 PVBS-TMC₁₄/₂₄与石墨烯泡沫(GF)的复合材料(PVBS-TMC/GF),其热导率达 55.5 W/m・K,80℃/10 N 下界面热阻(ITR)低至 35.7 K・mm²/W,应用于 CPU 热管理时,较商用产品使稳态温度降低 10-15℃、峰值温度降低 8-10℃,为高热通量热管理提供了兼具高潜热、自适应性低阻和可回收性的创新方案。研究成果以“Record-High Latent Heat, Ultra-Fast Relaxation and Closed-Loop Recycling Double-Brush Polymer Networks for Self-Adaptive Thermal Interface Management” 为题,发表于《Advanced Science》期刊。




03

图文导读


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图1本工作的设计思想。(a)双刷动态PCPN的拓扑设计。(b)基于双刷动态PCPN和自适应ITR机制的TIM示意图。

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图2主链、侧链和交联剂的合成和表征。(a)主链、侧链和交联剂的反应路线。(b)TMC 32、PAD和TSH的FT-IR光谱。(c-d)TMCn的DSC曲线。(e)D4 Vi、PVMS和PVBS的FT-IR光谱。(f)PVBS的剪切增稠行为。(g)PVMS和PVBS的1 H NMR光谱。

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图3 PVBS-TMCn网络的制备及其性能表征。(a)PVBS-TMCn网络的合成和相变行为的示意图。(b)PVBS-TMCn的DSC熔融过程和(c)XRD。(d)PVBS-TMC 32在多次加热和冷却循环期间的DSC图。(e)流变曲线,(f)视觉图片,(g)PVBS-TMCn的SEM图像。(h)PVBS-TMCn的ΔH和ΔHloss与其他报道的工作的比较。

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图4 PVBS-TMCn的动态网络特性及其可回收性。(a)动态键交换示意图、热压直观图、红外焊接示意图。(b)PVBSTMCn的应力松弛和(c)PVBS-TMCn与其他报道的动态网络之间的松弛时间和温度的比较。PVMS-TMC 32和PVBS-TMC 32的XRD曲线。(f)PVBS-TMC n的溶剂闭环再循环。

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图5基于共接枝策略的柔性双刷PCPN及其接触、键合和渗透行为。(a)通过共接枝策略制备柔性PVBS-TMC 14/24。(b)PVBS-TMC 14/24在室温下的自由扭转和弯曲及其(c)应力-应变曲线和(d)DSC曲线。(e)PVMS-TMC 14/24的SAXS结果(红色:高强度,蓝色:低强度)(f)PVBS-TMC 14/24与石英的界面模型。(g)(h)PVBS链段与OH之间的δg与符号(B─O键)的散点图;(i)粘附直观图;(j)PVBS-TMC 14/24的变温流变试验曲线;(k-1)界面模型界面的SEM图。


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图6基于PVBS-TMC/CF的TIM的制备及应用。(a)PVBS-TMC/CF的制备工艺。(B)单层GF的冰切示意图。(c1)未填充PVBS-TMC 14/24的GF的SEM图像。(c2)PVBS-TMC/CF的SEM图像。(d)热导率k和热导率α,(e)温度与ITR的关系,(f)PVBS-TMC/CF的压力与ITR之间的关系,以及(g)与其他报道的PCM-TIM的比较。(h)PVBS-TMC/CF的可分离行为的视觉图像、红外成像和示意图。(i)PVBS-TMC/CF和Honeywell PTM 7950的CPU在五个加热-冷却循环中的温度曲线。(j)PVBS-TMC/CF的闭环循环过程。



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