来源 | 国家知识产权局

[洞见热管理]获悉，近日，国家知识产权局信息显示，四川富乐华半导体科技有限公司申请一项名为“一种双面覆铜陶瓷基板的制备方法”的专利，公开号CN120229967A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明公开了一种双面覆铜陶瓷基板的制备方法，属于集成电路制作领域，包括以下步骤：步骤S1～S4，将铜箔粘结到陶瓷基板的一面，进行第一次烧结氧化，形成单面覆铜陶瓷基板，步骤S5～S8，将铜箔粘结到陶瓷基板的另一面，进行第二次烧结氧化，形成双面覆铜陶瓷基板，烧结过程中，覆铜陶瓷基板放置在垫板上，垫板放置在垫片上，垫片下表面与输送带接触，烧结炉的炉底板位于输送带的下方，炉底板上均匀开设有通孔，通孔孔径为1～15mm，开孔率为20～50％。