来源 | businesswire

[洞见热管理]获悉，在人工智能与云计算算力需求爆发式增长的背景下，芯片热管理已成为制约先进制程发展的关键瓶颈。全球先进电子产品深度数据监控解决方案领导者 proteanTecs® 近日宣布，推出专为2纳米工艺节点打造的LVTS™（局部电压与热传感器）。该传感器采用仅依赖核心电压（VDD-core）的流片验证设计，并内置快速超温警报功能，这项突破性技术以无与伦比的精度和集成度，解决了传统热传感方法日益凸显的局限性，重新定义了先进制程的热管理标准。

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2nm 工艺倒逼热传感技术革新

随着芯片制程迈入 2 纳米时代，晶体管密度较当前 3 纳米提升约 40%，而英伟达 GB200 等高端 AI 芯片单柜热设计功耗 (TDP) 已突破 140kW，传统热管理方案面临严峻挑战。proteanTecs 联合创始人兼首席技术官 Evelyn Landman 指出："2nm 是行业的转折点，传统热传感方法根本无法解决问题。" 数据显示，基于二极管的传统传感器在 2nm 节点温度测量误差可达 ±5°C 以上，且响应滞后；环形振荡器传感器则受电压波动影响，精度漂移严重，难以满足先进制程的监控需求。

新推出的 LVTS 传感器采用创新设计，在全环绕栅极（GAA）架构中首次实现低压磁芯晶体管应用，这一突破使其在极小空间内同时实现高精度测温与电压监控。相较于传统方案，LVTS 的温度测量精度提升 5 倍以上，电压监控误差控制在 ±1.5% 以内，为芯片设计师提供了前所未有的热管理可见性。

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全芯片智能监控构建多重技术优势

LVTS 传感器的核心竞争力体现在三大维度：首先是全芯片覆盖能力，通过分布式部署实现无死角监控，解决了传统单点测温无法捕捉局部热点的难题；其次是实时响应机制，内置的快速过温警报功能可在微秒级时间内触发保护机制，避免热失控导致的芯片损坏；最后是低功耗集成设计，其功耗较传统方案降低 30% 以上，且可无缝嵌入现有芯片设计流程。

该传感器已在 5nm、3nm 和 2nm 工艺节点完成硅验证，并被多家领先半导体企业采用。proteanTecs 同时发布两种 LVTS 变体版本：支持零伏电压测量的扩展型号可满足宽范围电压监控需求，而配备微型远程热传感器的监控中心版本则专门针对芯片热点区域进行精准测温，进一步拓展了应用场景的灵活性。这些特性使其成为芯片制造商电源和可靠性、可用性、可维护性（RAS）战略的重要补充。

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助力 AI 时代算力密度竞赛

当前半导体传感器市场正快速扩张，其中温度传感器在 AI 数据中心、自动驾驶等领域的需求尤为突出。随着液冷技术在 AI 数据中心的渗透率逐渐提升，芯片级热监控与系统级冷却方案的协同已成为必然趋势。LVTS 传感器提供的实时数据可动态优化液冷系统运行参数，形成 "芯片 - 机柜 - 机房" 三级热管理闭环。

业内专家分析，LVTS 传感器的产业化应用将加速 2nm 芯片商用进程。通过与 proteanTecs 的硬件 IP 监控系统深度整合，该传感器不仅能实现芯片全生命周期的性能监控，更能为 3D 堆叠等先进封装技术提供关键的热仿真数据支撑。正如 Landman 所言："LVTS 提供的准确、低功耗解决方案，使芯片制造商有信心扩展到最先进的节点"，这一技术突破无疑将为 AI 算力密度竞赛注入新的动力。

随着全球头部半导体企业加速导入 2nm 工艺，LVTS 传感器有望成为下一代芯片的标配组件，推动热管理技术从被动散热向主动温控演进，为智能汽车、量子计算等前沿领域的技术突破奠定基础。